Оперативная память Samsung 2x4Gb DDR4 3200MHz
- Ҳолат: Нав
Память имеет объем одного модуля 4 ГБ, что позволяет увеличить производительность вашего устройства и улучшить его функциональность.
Эффективная частота памяти составляет 3200 МГц, что обеспечивает высокую пропускную способность до 25600 Мб/с. Это позволяет обрабатывать большие объемы данных и быстро выполнять задачи, требующие высокой производительности.
Напряжение питания составляет всего 1.2 В, что делает этот модуль памяти энергоэффективным и позволяет снизить энергопотребление.
Память имеет 260 контактов, что обеспечивает надежное и стабильное соединение с материнской платой.
_____________________________________________________________________________________________
Бренд – Samsung
Количество модулей в комплекте – 2 шт
Тип - DDR4
Форм-фактор SO – DIMM
Объем одного модуля - 4 ГБ
Общий объем памяти - 8 ГБ
Тактовая частота - 3200 МГц
Пропускная способность - PC25600
CL - 17
Количество чипов каждого модуля - 8
Напряжение питания - 1.2 В
Количество рангов – 1
Количество контактов - 260
Упаковка чипов – двусторонняя
Особенности - Unregistered
Эълонҳои монанд
Аз натиҷаҳои ҷустуҷӯҳои худ натиҷагирӣ кунед
-
This account has a verified association with E-mongolia -
Verified since
-
Your ad will be marked as verified
-
Advertising will receive more attention and trust